Najnowszy, opracowany przez Raytheon Company [NYSE: RTN] radar zintegrowanej obrony przeciwlotniczej i przeciwrakietowej wyposażony w antenę z aktywnym skanowaniem elektronicznym (Active Electronically Scanned Array, AESA) i bazujący na technologii azotku galu, zaproponowany jako udoskonalona wersja obecnego radaru systemu obrony przeciwlotniczej i przeciwrakietowej Patriot, prześledził podczas testu manewrujące myśliwce i zgromadził dane do kierowania ogniem.
Choć był to pierwszy test, w którym prototypowy radar AESA bazujący na technologii GaN namierzał manewrujące myśliwce, wcześniej śledził on i brał na cel tysiące samolotów nie wykonujących manewrów taktycznych.
„Dzięki technologii GaN nowy radar AESA firmy Raytheon skanuje niebo w zakresie 360 stopni, oferując wysoką niezawodność operacyjną i większe możliwości przy dwukrotnie niższych kosztach operacyjnych – powiedział Ralph Acaba, wiceprezes ds. zintegrowanej obrony przeciwlotniczej i przeciwrakietowej w dziale zintegrowanych systemów obronnych firmy Raytheon. – Test ten jest kolejnym dowodem na to, że modernizacja jest gotowa do przejścia w fazę inżynieryjno-produkcyjno-rozwojową”.
Raytheon przedstawił prototyp radaru AESA wykonanego w technologii GaN na targach branżowych Winter Association of the U.S. Army w marcu 2016 r. Wcześniej Raytheon zademonstrował możliwość wykrywania celów w zakresie 360 stopni przez system Patriot przy użyciu mniejszej, bazującej na GaN pilotażowej anteny AESA.
Nowy, opracowany przez Raytheon radar AESA wykonany w technologii GaN będzie współpracował z systemem dowodzenia IBCS (Integrated Air and Missile Defense Battle Command System) oraz innymi rozwiązaniami o architekturze otwartej. Pozostanie przy tym kompatybilny z bieżącym stanowiskiem kierowania ogniem systemu Patriot (Engagement Control Station) i zachowa pełną zgodność operacyjną z systemami NATO.
Kilku obecnych i oczekiwanych użytkowników systemu obrony przeciwlotniczej i przeciwrakietowej Patriot w Europie i Azji wyraziło już zainteresowane nabyciem radaru AESA wykonanego w technologii GaN.
Źródło / Autor: Raytheon
Zdjęcie: Raytheon